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m；
d）硫化鉛光敏電阻：響應(yīng)范圍750 nm~3200 nm，響應(yīng)率不低于2.0 V/W。
5.4.1.2 主要儀表
a）光電倍增管電源：0.5 kV~1.5 kV（可調(diào)），電壓穩(wěn)定度0.5 %；
b）硫化鉛光敏電阻電源：0 V~30 V（可調(diào)），電壓穩(wěn)定度1 %；
c）交流放大器：放大倍數(shù)5~10，噪聲不大于10 V；
d）直流數(shù)字電壓表：0.2 V~20 V，靈敏度10 V。
5.4.2 檢測步驟
a）接通裝置電源，預(yù)熱20 min后，檢查儀器。
b）接通電光源電源。
c）把試樣安裝在試樣架上，放入積分球內(nèi)。
d）在（250~2500）nm波長范圍內(nèi)，選擇不少于50個測試點，逐點測試試樣的光譜反射比i值。
5.4.3 結(jié)果計算
太陽光反射比計算見式（1）：

s試樣的太陽光反射比；
i波長為i時試樣的光譜反射比；
△i波長間隔△i=1/2（i+1-i-1），單位為納米（nm）；
Es（i）在波長為i處的太陽輻射照度的光譜密集度，單位為納米瓦每平方米（W/m2nm）（可從QJ 1954表2中查得）；
n在波長250 nm~2500 nm范圍內(nèi)的測試點數(shù)目，一般大于50。
太陽光反射比實驗結(jié)果以3個試板的算術(shù)平均值表示，計算精確至0.01。
5.5 半球反射率
按GJB 2502-1996中的方法310的規(guī)定進(jìn)行