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高速粒子沖刷；
4)最重要的是，SiC在溫度高于1000℃與O2反應(yīng)能生成SiO2, SiO2在高溫下具有流動性，可以封填高溫下SiC與C/C由于熱膨脹系數(shù)不匹配而形成的裂紋，同時SiO2具有低的氧擴(kuò)散速率和較低的蒸氣壓，可阻止氧化氣氛向碳基體的滲入。
正因為SiC的上述優(yōu)點,SiC用于C/C復(fù)合材料的抗氧化一直是研究的熱點。