新型含硅高分子(3)
日期:2013-04-19 13:53
填裂紋和阻止氧擴(kuò)散;碳化物保證氧化物與C/C復(fù)合材料的化學(xué)相容性;內(nèi)層氧化物提高碳化物與玻璃的化學(xué)相容性。制備此種涂層的難點在于發(fā)展?jié)M足各層之間化學(xué)相容性的制備工藝和協(xié)調(diào)各層之間的熱膨脹匹配關(guān)系。
第二種為:Rh/Ir/碳化物:
Rh是阻止氧擴(kuò)散能力很強(qiáng)的氧阻擋層;Ir是Rh與碳化物的隔離層:碳化物是Ir與C/C復(fù)合材料的隔離層。
(2)抗氧化涂層的制備方法
外涂層的制備方法主要有CVD(化學(xué)氣相沉積)和包埋法(Pack Cementration),其它方法還有等離子噴涂(Plasmaspray)、濺射(Sputtering)、電沉積(electro-deposition)、漿料刷涂熱解工藝等。
氣相沉積主要包括CVD,PACVD(PlasmaAssisted Chemical Vapor Deposition:激光輔助化學(xué)氣相沉積),PLD(Pulsed Laser Deposition:脈沖激光沉積),LICD(Laser-induced Chemical Deposition:激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積)等。
1)CVD:最具有吸引力的CVD涂層材料是SiC、Si3N4,因為它們分別具有5x10-6/k和3x10-6/k的熱膨脹系數(shù),與其他抗氧化材料相比,更接近于C/C復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù),且具有高達(dá)1700℃的抗氧化能力,如一種小型火箭發(fā)動機(jī)的推進(jìn)室就采用了SiC涂層[37]。
N.Popovska等[38]用CVD法制備了兩種復(fù)合涂層: