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a）SiC/梯度CSiC/SiC涂層，用于溫度高于1000℃以上：內(nèi)層先沉積一層SiC，再通過調(diào)節(jié)H2/MTS（甲基三氯硅烷）的比率和沉積溫度的方法在SiC涂層外側(cè)一次性沉積從CC+SiC的梯度復(fù)合涂層純SiC外層的復(fù)合涂層。
b）TiN/梯度CSiC/SiC涂層:制備方法同前，內(nèi)層用TiCl4/N2/H2的混合體系沉積TiN。
2）PACVD：H.T.Tsou等[39，40]分別用PACVD和CVD法制備了PACVD SiC，PACVD SiC/CVD Si3N4/ SiC和PACVD B4C/CVD Si3N4復(fù)合涂層，并與C/C復(fù)合材料作了氧化性對(duì)比實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明單單PACVD SiC或PACVD B4C的抗氧化效果并不理想，主要是因?yàn)榇祟愅繉拥某煞植患儯鳳ACVD SiC/CVD Si3N4/ SiC和PACVD B4C/CVD Si3N4涂層卻可以提高C/C復(fù)合材料的氧化門檻溫度，分別達(dá)850℃和700℃，且超過門檻溫度氧化速率下降。
3)PLD：在文獻(xiàn)[41]中應(yīng)用PLD技術(shù)用液態(tài)Si浸漬一定密度的C/C復(fù)合材料而制備出了C/C-Si-SiC復(fù)合材料，也使用莫來(lái)石（3Al2O32SiO2）沉積了莫來(lái)石涂層。
4)LICD：在文獻(xiàn)[42]中報(bào)道了采用LICD技術(shù)分別沉積SiC和Ir涂層。
CVD法涂層的制備時(shí)間長(zhǎng)，而且制備的涂層往往由于與C/C的熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生裂紋，為克服這些缺陷近年發(fā)展出各種多涂層體系和各種替代工藝。如漿料涂覆反應(yīng)燒結(jié)法[4