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SiC




Carboranesiloxane


SiC-B4C




Polyphenylborazole


BN




Polysilane


SiC




此方法的優(yōu)點是[55]：
1)裂解溫度低(850～1200℃),可無壓燒成,纖維的機械和熱損傷程度較??；
2)燒成時不引入燒結(jié)助劑,制品高溫性能好;
3)對先驅(qū)體進行分子設(shè)計可制備出所需組成和結(jié)構(gòu)的單相或多相陶瓷基體;
4)可借鑒聚合物基復(fù)合材料成熟的成型技術(shù)制備復(fù)雜形狀構(gòu)件。