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(544 nm)增長的幅度比次發(fā)射峰(491nm)更大，因此，樣品的綠光發(fā)射(5D47F5)更強。



（3）Tb3 +濃度對發(fā)射光譜的影響
不同Tb3 +濃度下Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x的發(fā)射光譜如圖7所示。由圖7可知，Tb3 +濃度對樣品的發(fā)射峰的形狀和位置影響很小，這是由于Tb3 +的發(fā)射屬于4層內(nèi)的-躍遷，而4受到5s，5p的屏蔽作用，使其幾乎不受外場的影響。從圖7還可以看出，Tb3 +濃度(x)對Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x發(fā)光強度影響較大。當x＜0．12時，隨著Tb3 +濃度的增加，樣品的相對發(fā)光強度不斷增加;當Tb3 +濃度x為0．12時，樣品的相對發(fā)光強度達到最大值;此
后Tb3 +濃度進一步增大，樣品發(fā)光強度反而開始降低，即發(fā)生濃度猝滅。這是因為:當激活離子Tb3 +的濃度過低時，由于發(fā)光中心較少，因而發(fā)光強度較低;隨著Tb3 +濃度的增大，發(fā)光中心的數(shù)量隨之增加，于是發(fā)光強度隨之提高;當激活離子濃度超過某一值時，激活離子之間的相互作用增強，增大了無輻射躍遷的幾率，從而使發(fā)光效率下降。所以，激活離子濃度存在一最佳值。
（4）Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x的濃度猝滅機制探究
根據(jù)Dexter有關發(fā)光材料的濃度猝滅理論，得到濃度猝滅出現(xiàn)后發(fā)光濃度與激活劑摻雜濃度的關系:Ix1－s/3，式I為發(fā)光強度，x